Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden
| Autor: | Zimmermann, Tom |
|---|---|
| EAN: | 9783838113371 |
| Sachgruppe: | Technik |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 176 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Veröffentlichungsdatum: | 22.12.2009 |
| Untertitel: | Anwendung in p-Kanal FETs und elektromechanischen Strukturen |
79,90 €*
Die Verfügbarkeit wird nach ihrer Bestellung bei uns geprüft.
Bücher sind in der Regel innerhalb von 1-2 Werktagen abholbereit.
Neuartige p-2DHG-Kanal GaN/InGaN/GaN HEMT Strukturen als auch Mikroelektromechanische GaN und AlGaN/GaN Sensorstrukturen (MEMS) wurden unter Ausnutzung der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Gruppe-(III)-Nitriden entwickelt und charakterisiert. Niederohmige ohmsche p-Typ Kontakte bestehend aus Au/Ni/Au oder NiPd/Au konnten ein 2DHG in einer rein polarisationsdotierten InGaN/GaN Heterostruktur kontaktieren. 2DHG-Kanal HEMTs wurden temperaturabhängig charakterisiert und CV- als auch Hall-Messungen bestätigten die Existenz eines 2DHG Kanals in der InGaN/GaN Heterostruktur. Außerdem wurden freistehende GaN-Membran Strukturen auf (111)- Silizium Substrat technologisch realisiert. Interessante Polarisationseffekte in GaN-MEMS wurden durch mechanischen Stress induziert.
Weitere Produkte vom selben Autor