Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

Autor:	Sun, Yabin
EAN:	9789811046117
Auflage:	001
Sachgruppe:	Technik
Sprache:	Englisch
Seitenzahl:	192
Produktart:	Gebunden
Veröffentlichungsdatum:	02.11.2017
Schlagworte:	Chemie Elektronik / Bauelemente Elektronik / Gerät Elektronik / Halbleiter Elektronik / Mikroelektronik Elektronik / Schaltung Festkörperphysik Halbleiter Ingenieurwissenschaft - Ingenieurwissenschaftler Leitung (physikalisch) / Halbleiter Maschinenbau Massenspektrometrie - Spektrometrie Mikroelektronik Optik Spektroskopie

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This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.