Schaltverhalten beim IGBT-Transistor

Durch die Entdeckung der Halbleitermaterialien und die damit verbundene Entwicklung der klassischen Bauelemente Diode, Transistor etc. ist man in der Lage den elektrischen Strom gerichtet steuern zu können. Es ist dadurch möglich, den Stromfluß respektive den Energiefluß auf die spezifischen Erfordernisse des zu versorgenden Energiewandlers abzustimmen. Die gezielte Weiterentwicklung dieser klassischen Bauelemente hat moderne Leistungshalbleiter hervorgebracht die hochdynamisch schalten und dabei verhältnismäßig kleine Verluste verursachen. Ein weit verbreiteter Vertreter bei den abschaltbaren Leistungshalbleitern ist der sog. Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT-Transistor. Das Ziel dieser Arbeit besteht in dem Bau und der Inbetriebnahme eines Versuchsstandes zur Darstellung der charakteristischen Spannungen und Ströme am IGBT. Anhand der dargestellten Verläufe kann dann am IGBT-Ersatzschaltbild das transiente Verhalten erklärt werden.

Jahrgang 1978___________________________________ Ausbildung: Kommunikationselektroniker, Berlin 1998 Fachabitur, Berlin 2001_________________________ Diplom-Ingenieur (Fh) Elektrotechnik, Berlin 2008 Beruflicher Werdegang: Fachberater elektr. Antriebstechnik, Siemens AG, Berlin 2008; Fachvertrieb Spezialmaschinenbau, Siemens AG, Berlin 2009;