Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten
| Autor: | Hennig, Christian |
|---|---|
| EAN: | 9783869558226 |
| Sachgruppe: | Technik |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 164 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Veröffentlichungsdatum: | 03.08.2011 |
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Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE), Maßnahmen zur Reduktion der Versetzungsdichte und die Ablösung der Epitaxieschicht vom Fremdsubstrat.
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